شعبه آمریکای کمپانی توشیبا در جدیدترین اخبار خود به معرفی راهکاری نوینی در حوزه حافظههای فلش کلاس ذخیرهساز دائمی یا به عبارتی دیگر SCM پرداخته است. تراشه جدید معرفی شده از جانب کمپانی فوق تحت عنوان XL-FLASH نامگذاری شده و با توجه به طراحی مطابق با فناوری BiCS FLASH 3D میتواند کاهش میزان تأخیر در دسترسی به اطلاعات و افزایش کارایی نهایی را به دیتا سنترها و دستگاههای ذخیرهساز اقتصادی اطلاعات هدیه کند. شروع فرآیند ارسال نمونههای آزمایشی حافظه مذکور به مصرفکنندگان در سپتامبر سال جاری میلادی شروع شده و عملیات تولید انبوه در سال 2020 آغاز میگردد.
تراشه حافظه XL-FLASH در دسته محصولات SCM یا به عبارتی دیگر حافظههای غیر فرار قرار گرفته و با برخورداری از توانایی ویژه در نگهداری طولانی مدت اطلاعات، قادر است تا بهعنوان گزینهای مناسب در پر نمودن فاصله موجود در بین حافظههای دینامیک (DRAM) و NAND مورد استفاده قرار گیرد. در حالی که حافظههای DRAM در فراهم آوردن دسترسی سریع به اطلاعات از توانایی بالایی برخوردار میباشند، کارایی نهایی به ارمغان آورده شده توسط آنها مستلزم تحمیل هزینههای بسیار درزمینهٔ طراحی و ساخت میباشد.
محصول XL-FLASH با قرارگیری بهعنوان گزینهای در بین حافظههای DRAM و NAND، مزیتهایی نظیر افزایش سرعت، کاهش تأخیر و فزونی ظرفیت ذخیرهسازی اطلاعات را با هزینهای کمتر از حافظههای دینامیک سنتی به ارمغان آورده است. کمپانی توشیبا در نظر دارد تا تراشه مذکور را ابتدا در قالب حافظههای جامد یا به عبارتی دیگر SSD روانه بازار کرده و سپس گستردگی آنها را با بهکارگیری در دستگاههای دیگری همچون NAS و NVDIMMS با افزایش بیشتری همراه سازد. از جمله ویژگیهای کلیدی تراشه حافظه مورد بحث میتوان به موارد زیر اشاره کرد:
سطح 128 گیگابیت die (در ساختاری متشکل از تعداد دو، چهار و هشت سطح)
اندازه صفحه 4 کیلوبایت جهت بهینهسازی و افزایش راندمان عملیات خوانش و نوشت اطلاعات
ساختار 16 سطحی/صفحهای برای بهبود راندمان موازیسازی
خوانش سریع صفحات و برنامههای کامپیوتری. تراشه حافظه XL-FLASH قادر است تا با تأخیری کمتر از 5 میکروثانیه به خوانش اطلاعات بپردازد که این میزان در مقایسه با تراشههای TLC فعلی تقریباً 10 برابر سریعتر میباشد.
منبع: TechPowerUP
تراشه حافظه XL-FLASH کمپانی توشیبا، راهکاری نوین در ذخیرهسازی دائمی اطلاعات
دانلود آخرین ورژن برنامه